Toshiba использует в SSD MKx001GRZB 32-нанометровую флэш-память типа eSLC NAND
14.12.2010
Toshiba использует в SSD MKx001GRZB 32-нанометровую флэш-память типа eSLC NAND
Твердотельные накопители семейства MKx001GRZB, представленные
компанией Toshiba, точнее говоря, ее подразделением Toshiba Storage
Device Division, ориентированы на применение в корпоративной
вычислительной технике.
В устройствах типоразмера 2,5 дюйма (69,85 x 100,0 x 15,0 мм)
используется одноуровневая флэш-память NAND «корпоративного класса» (для
ее обозначения производитель использует аббревиатуру eSLC — enterprise
grade single-level cell). Изготавливается память eSLC NAND по
32-нанометровой технологии.
Накопители оснащены интерфейсом Serial Attached SCSI (SAS) 6
Гбит/с. Установившаяся производительность в режиме чтения равна 90000
IOPS, в режиме записи — 17000 IOPS. При последовательном чтении
достигается скорость передачи данных 510 МБ/с, при последовательной
записи — 230 МБ/с. Потребляемая мощность в активном состоянии не
превышает 6,5 Вт. Срок службы MKx001GRZB компания оценивает в пять лет
без ограничения объема записанной информации. Если же отталкиваться от
допустимого объема записи, гарантированное значение равно 8 ПБ.
Предусмотрен выпуск моделей объемом 100, 200 и 400 ГБ.
Ознакомительные образцы новых SSD будут доступны в первом квартале 2011
года. Серийный выпуск компания обещает начать в первой половине 2011
года.
