Samsung разработала микросхему Green DDR3 с детализацией 30 нм
02.02.2010
Samsung разработала микросхему Green DDR3 с детализацией 30 нм
Чипы плотностью 2 Гб, ставшие первыми в индустрии устройствами памяти DDR3,
изготовленными по техпроцессу с нормой 30 нм, по заявлению Samsung, успешно
прошли квалификационные испытания у клиентов этого корейского производителя
полупроводников.
Новая память 30-нанометрового класса – Green DRAM – имеет сниженное на 30%
энергопотребление по сравнению с 50-нанометровой DRAM: четырехгигабайтовый
модуль для ноутбука будет расходовать всего 3 Вт, что составляет около 3% от общей
мощности портативного ПК.
В результате перехода на массовое производство по технологии 30 нм,
запланированного на вторую половину года, компания ожидает увеличения
продуктивности на 60% по отношению к 40-нанометровой DDR3 и удвоения ценовой
эффективности по сравнению с DRAM уровня детализации 50 или 60 нм.
